荣德R3硅片力求为客户提供更高的效率，更加持久的表现，以及更低的成本。不改变原材料质量和多晶铸造方法，重新设计热场程序，开发精细的工艺，控制成核和晶体生长，优化辅材、配方，在严格的质量控制下进行生产。

u电池效率平均值达到18.4%以上

Average cell efficiency above 18.4%

u硅片表面杂质面积、缺陷面积均小于0.5%

R3 wafer surface impurities area,defect area is less than 0.5%

u效率分布更加集中

The efficiency of distribution ismore concentrated

u为客户提供更多价值附件

More Value added to our customers